Características del producto
Capacidad de alta corriente (1,0 A)
Clasificación de corriente significativamente mayor en comparación con los diodos HV estándar.
Recuperación rápida para operaciones de alta-frecuencia
El tiempo máximo de recuperación inversa de 150 nS permite aplicaciones de conmutación de alta-velocidad, minimiza las pérdidas de conmutación en circuitos de alta-frecuencia y admite un funcionamiento eficiente en fuentes de alimentación en modo conmutado-
Alta tolerancia a la sobretensión actual
La clasificación de sobrecorriente máxima de 50 A brinda una excelente protección contra eventos de descarga de CRT y transitorios de inicio, garantiza un funcionamiento confiable durante cambios repentinos de carga o condiciones de encendido-, diseñado específicamente para la resistividad de descarga de CRT
Corriente de fuga baja
La fuga inversa ultra-baja de 5 μA a 25 grados garantiza una pérdida mínima de energía en espera, mantiene el rendimiento hasta 50 μA a 100 grados para una confiabilidad de alta-temperatura y mejora la precisión en circuitos de alta-impedancia.
Baja caída de tensión directa
El voltaje directo máximo de 9,0 V reduce las pérdidas de conducción, permite un funcionamiento más frío, elimina la necesidad de disipadores de calor voluminosos en muchas aplicaciones y mejora la eficiencia general del sistema.
Diseño de alta-confiabilidad
Construcción moldeada de resina epoxi para protección ambiental, conmutación de alta-velocidad optimizada para aplicaciones exigentes, clasificación de alto voltaje con calidad de fabricación sólida
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Clasificación de temperatura de unión de hasta 120 grados o más para entornos exigentes, temperatura de almacenamiento de -40 grados a +155 grados
Especificación
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Características eléctricas (Tamb=25 grado, a menos que se especifique lo contrario) |
Símbolo |
Condiciones |
Valor nominal |
Unidad |
|
Voltaje inverso pico repetitivo |
VRRM |
3 |
kV |
|
|
Promedio de corriente directa máx. |
IO |
@aceite Tromper=50 grado |
1 |
A |
|
Máx. Sobretensión actual |
IMEV |
50 |
A |
|
|
Máx. Caída de tensión directa |
VFM |
Ta=25 grado |
9 |
V |
|
Máx. Tiempo de recuperación inversa |
trr |
IF=2mA, yoR=4mA |
150 |
ns |
|
Máx. Corriente inversa |
IRRM |
5.0 |
μA |
|
|
Máx. Unión de temperatura |
TJ |
130 |
grado |
|
|
Rango de temperatura de almacenamiento |
Tstg |
-40-+130 |
grado |
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Dimensiones del contorno del paquete |
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BR-Serie F 2-10KV 0,4-1A 150nS
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Tipo |
Valores nominales |
Temperatura. Condición |
Característica eléctrica |
Dimensión |
|||||
|
VRM |
SI(AV) |
IFSM |
tj |
Tstg |
VF |
IR1 |
trr |
φcuerpo*L, φplomo |
|
|
[SI=SI(AV)] |
[VR=VRRM] |
||||||||
|
kV |
A |
A |
grado |
grado |
V |
μA |
μS |
milímetros |
|
|
BR2F |
2 |
1 |
50 |
120 |
-40~+120 |
9 |
5 |
0.15 |
Φ5*9/Φ1.2 |
|
BR3F |
3 |
1 |
50 |
120 |
-40~+120 |
9 |
5 |
0.15 |
Φ5*9/Φ1.2 |
|
BR4F |
4 |
0.8 |
50 |
120 |
-40~+120 |
11 |
5 |
0.15 |
Φ5*9/Φ1.2 |
|
BR5F |
5 |
0.8 |
50 |
120 |
-40~+120 |
14 |
5 |
0.15 |
Φ5*9/Φ1.2 |
|
BR10F |
10 |
0.4 |
50 |
120 |
-40~+120 |
25 |
5 |
0.15 |
Φ5*9/Φ1.2 |
Campos de aplicación
|
Área de aplicación |
Casos de uso específicos |
|
Equipo médico |
• Fuentes de alimentación de rayos X-(fuente de alimentación de luz X) |
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Electrónica Industrial |
• Fuentes de alimentación de alto-voltaje |
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Sistemas láser |
• Rectificación de la fuente de alimentación del láser |
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Microondas y RF |
• Fuentes de alimentación con emisión de microondas |
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Electrónica de Consumo |
• Circuitos de visualización CRT (alta resistividad contra sobretensiones para descarga de CRT) |
|
Electrónica de potencia |
• Fuentes de alimentación en modo de conmutación-de alta-frecuencia |
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