Por lo tanto, en el diseño de chips, se puede abandonar la optimización de Trr y todos los esfuerzos pueden centrarse en aumentar el área efectiva del chip. Un área de chip más grande significa una menor densidad de corriente, una distribución de calor más uniforme en la superficie del chip y una menor resistencia térmica de la unión-a-la caja con la misma corriente nominal. Tomando como ejemplo el diodo de alto voltaje de frecuencia eléctrica de la serie CL01-12, con un voltaje soportado de 12 kV y una corriente nominal de 350 mA, el VF típico es de aproximadamente 12 V y la disipación de potencia de conducción es de aproximadamente 4,2 W.
Sin embargo, para la misma clasificación de voltaje soportado, la versión de recuperación rápida, para reducir Trr a menos de 100 ns a través de centros de recombinación de dopaje, puede tener un VF que aumenta a 15 V o incluso más, lo que resulta en una diferencia de disipación de potencia de casi el 30 % con los mismos 350 mA. Para un suministro de energía de un colector de polvo industrial que funciona 16 horas al día, 365 días al año, esta diferencia de disipación de energía del 30% se acumula en una cantidad significativa en los costos de electricidad. Con la misma corriente nominal, el área del chip de la versión de frecuencia eléctrica suele ser entre un 30% y un 50% más grande que la de la versión de recuperación rápida. Esta es la razón fundamental por la que puede transportar la misma corriente con un VF menor - área más grande, menor densidad de corriente y un efecto de modulación de conductancia más completo.
